半導體異質結構與納米結構表征（導讀版）

前言
第1章　導論：納米技術的多學科性質與探索前沿表徵技術的必要性
第2章　結構性質與電子性質的第一原理(從頭算起)模擬研究
第3章　納米結構的電學性質表徵
第4章　採用高分辨率x射線衍射技術(XRD)的半導體異質結構的應變與組分確定
第5章　透射電子顯微鏡(TEM)技術用於成像與半導體異質結構的組分確定
第6章　通過光致發光技術(PL)以瞭解半導體納米結構的結構性質與電子性質
第7章　Ⅲ族元素氮化物(Ⅲ-nitride)的異質結構中的與功率大小有關的陰極發光：從內部場屏蔽到可控能帶帶隙調製
第8章　拉曼譜技術
第9章　用於半導體異質結構與納米結構研究的X射線吸收精細結構(XAPS)方法
第10章　受同步輻射光照的納米結構：對表面敏感的X射線技術及異常散射
第11章　用於研究納米結構的結構性質的掠入射衍射異常精細結構(GIDAPS)方法
第12章　光發射譜在異質結研究中的作用
第13章　半導體異質結構界面與界面層的電子自旋諧振(ESR)譜分析方法
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